碳化硅廠家隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅組件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項背的。 這些新一代組件的商品化，為電力電子產業打開了全新的應用可能性。

SiC具有大禁帶寬度、高臨界場強、高熱導率和高載流子飽和速率等特性，其品質因數遠遠超過了其他材料，因而成為制造高功率器件、高頻器件、高溫器件和抗輻照器件重要的半導體材料；

在原有IGBT基礎上通過采用“注入增強結構”技術實現了低通態電壓，推出專利產品IEGT。由于其采用了SiC-SBD新材料，具有低導通電阻和低開關損耗等特性，實現了大功率變頻器的節能，而且其優勢隨著大功率項目功率等級和電壓等級的不斷提高而逐步提升；

IEGT控制的門極驅動電流小，它既能減少系統的損耗，也能提高元件的使用壽命，且IEGT調速空載時系統損耗低，符合綠色節能的要求，使得系統運行成本為經濟；
此外，東芝還針對不同應用提供合適的器件封裝。目前為顧客提供了2種封裝方案，分別是：高可靠性可雙面冷卻的“壓接式封裝”IEGT（PPI）和螺紋連接方便拆卸處理的“塑料模塊式封裝”IEGT（PMI）。

SiC肖特基二極管的發展方向是襯底減薄技術和Trench JBS結構。襯底減薄技術能夠地減小低壓SiC肖特基二極管的導通電阻，增強器件浪涌電流能力，減小器件熱阻。Infineon公司于2012年9月發布第五代SiC SBD產品，采用襯底減薄技術。在SiC晶格里，JBS結構中離子注入p阱的深度受到限制(<1um)，反偏條件下淺p-n結對肖特基結的屏蔽作用不是特別明顯，只有在相鄰p阱之間的間距較小時才能突顯出來，但同時帶來的正向導通溝道寬度變窄效應使得正向導通壓降顯著增加。為了解決這一問題，新一代SiC肖特基二極管的發展方向是Trench JBS結構。Cree公司新一代SiC肖特基二極管同時采用Trench JBS結構和襯底減薄技術，與傳統的JBS二極管相比，正反向特性都得到了改善，不僅增加了電流密度(芯片面積減小50%);也提高了阻斷電壓(提高150V)和雪崩能力。

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